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    沈陽科儀高真空電子東及熱阻薄膜沉積系統

    產品簡介

    沈陽科儀高真空電子東及熱阻薄膜沉積系統

    真空室結構:U形前開門

    真空室尺寸:500x500x600mm

    極限真空度:≤6.67E-5Pa

    沉積源:4個11cc坩堝

    樣品尺寸,溫度:φ4英寸,1片,最高800C

    占地面積(長x寬x高):約2.7米x1.7米x2.1米

    電控描述:全自動

    工藝:片內膜厚均勻性:≤+3%

    特色參數:樣品可自轉,轉速可調

    產品型號:DZS500
    更新時間:2026-01-08
    廠商性質:經銷商
    訪問量:713
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    高真空電子東及熱阻蒸發薄膜沉積系統--DZS500

    真空室結構:U形前開門

    真空室尺寸:500x500x600mm

    極限真空度:≤6.67E-5Pa

    沉積源:4個11cc坩堝

    樣品尺寸,溫度:φ4英寸,1片,最高800C

    占地面積(長x寬x高):約2.7米x1.7米x2.1米

    電控描述:全自動

    工藝:片內膜厚均勻性:≤+3%

    特色參數:樣品可自轉,轉速可調

    產品概述:
    本沉積系統可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質保護薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩定、模塊化結構,采用行業的軟件控制系統。

    設備特點:

    本設備是一個鍍膜平臺,可把磁控靶拆下換電子槍成為電子束鍍膜系統、或換蒸發源作為熱蒸發系統、或換上離子槍作為離子束鍍膜系統等。
    設備用途:
    用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研項目



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